Número de Producto del Fabricante:
SSM3K2615TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K2615TU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventario:
8759 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890828
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ENVIAR
SSM3K2615TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
π-MOSV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3.3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM3K2615
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3K2615TULFDKR
SSM3K2615TU,LF(B
SSM3K2615TULFCT
SSM3K2615TULFTR
SSM3K2615TULF
SSM3K2615TULF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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