Número de Producto del Fabricante:
SSM3K376R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K376R,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventario:
6792 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889369
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ENVIAR
SSM3K376R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+12V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23F
Paquete / Caja
SOT-23-3 Flat Leads
Número de producto base
SSM3K376
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3K376RLFTR
SSM3K376RLFDKR
SSM3K376RLFCT
SSM3K376R,LF(T
SSM3K376R,LF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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