Número de Producto del Fabricante:
SSM3K7002BSU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K7002BSU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventario:
12889617
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ENVIAR
SSM3K7002BSU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
USM
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SSM3K7002
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3K7002BSULFCT
SSM3K7002BSULFDKR
SSM3K7002BFU(T5LFTR
SSM3K7002BSULF
SSM3K7002BSULFDKRINACTIVE
SSM3K7002BSULFCTINACTIVE
SSM3K7002BFU(T5LFCT
SSM3K7002BFU(T5LFDKR-DG
SSM3K7002BSU,LF(D
SSM3K7002BSULFTR
SSM3K7002BFU(T5LFTR-DG
SSM3K7002BFU(T5LFCT-DG
SSM3K7002BSULFTRINACTIVATE
SSM3K7002BFU(T5LFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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