Número de Producto del Fabricante:
SSM6G18NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6G18NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-µDFN (2x2)
Inventario:
3925 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890697
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ENVIAR
SSM6G18NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
112mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-µDFN (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
SSM6G18
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6G18NULFTR
SSM6G18NU,LF(B
SSM6G18NULFDKR
SSM6G18NULFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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