Número de Producto del Fabricante:
SSM6J207FE,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J207FE,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
3995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889097
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ENVIAR
SSM6J207FE,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSII
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
251mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
137 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SSM6J207
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6J207FE(TE85LFTR-DG
SSM6J207FE(TE85LFTR
SSM6J207FE(TE85LFDKR
SSM6J207FELFDKR
SSM6J207FELFTR
SSM6J207FE(TE85LFCT-DG
SSM6J207FELFCT
SSM6J207FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J207FETE85LF
SSM6J207FE(TE85L,F
SSM6J207FE,LF(CA
SSM6J207FE(TE85LFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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