Número de Producto del Fabricante:
SSM6J503NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J503NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventario:
2186 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891592
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ENVIAR
SSM6J503NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32.4mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base
SSM6J503
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6J503NULF(TCT-DG
SSM6J503NULFTR
SSM6J503NU,LF(B
SSM6J503NULF(TDKR
SSM6J503NULFDKR
SSM6J503NU,LF(T
SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULF
SSM6J503NULF(TTR-DG
SSM6J503NULF(TDKR-DG
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULF(TTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RF4C050APTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
5045
NÚMERO DE PIEZA
RF4C050APTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
PMPB29XPE,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
14231
NÚMERO DE PIEZA
PMPB29XPE,115-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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