SSM6N56FE,LM
Número de Producto del Fabricante:

SSM6N56FE,LM

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

SSM6N56FE,LM-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6

Inventario:

81927 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889884
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SSM6N56FE,LM Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
55pF @ 10V
Potencia - Máx.
150mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
SSM6N56

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6N56FELMCT
SSM6N56FELMTR
SSM6N56FELMDKR
SSM6N56FE,LM(T
SSM6N56FE,LM(B

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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