Número de Producto del Fabricante:
TK10A60E,S5X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK10A60E,S5X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12890679
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ENVIAR
TK10A60E,S5X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK10A60
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK10A60E,S4X(S
TK10A60ES4X(S-DG
TK10A60ES4X-DG
TK10A60ES5X
TK10A60ES4X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X(S
TK10A60E,S4X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPAN65R650CEXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
462
NÚMERO DE PIEZA
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP4N70X2M
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
24
NÚMERO DE PIEZA
IXTP4N70X2M-DG
PRECIO UNITARIO
1.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TK750A60F,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
893
NÚMERO DE PIEZA
TK750A60F,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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