Número de Producto del Fabricante:
TK110P10PL,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK110P10PL,RQ-DG
Descripción:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
6581 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920894
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ENVIAR
TK110P10PL,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2040 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK110P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TK110P10PL,RQ(S2
264-TK110P10PLRQCT
264-TK110P10PLRQTR
264-TK110P10PLRQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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