Número de Producto del Fabricante:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK12E80W,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12949829
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ENVIAR
TK12E80W,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 570µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK12E80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP13N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
312
NÚMERO DE PIEZA
STP13N80K5-DG
PRECIO UNITARIO
1.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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