Número de Producto del Fabricante:
TK12P50W,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK12P50W,RQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
1950 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988646
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ENVIAR
TK12P50W,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK12P50WRQTR-DG
264-TK12P50W,RQTR
264-TK12P50W,RQTR-DG
264-TK12P50W,RQCT
264-TK12P50W,RQDKR
264-TK12P50WRQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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