Número de Producto del Fabricante:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Descripción:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventario:
65 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890805
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ENVIAR
TK12Q60W,S1VQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
TK12Q60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
TK12Q60WS1VQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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