TK14G65W5,RQ
Número de Producto del Fabricante:

TK14G65W5,RQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK14G65W5,RQ-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

12891474
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TK14G65W5,RQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 690µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
TK14G65

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TK14G65W5RQDKR
TK14G65W5RQTR
TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXFA12N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
288
NÚMERO DE PIEZA
IXFA12N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFA22N60P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFA22N60P3-DG
PRECIO UNITARIO
3.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STB18N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2125
NÚMERO DE PIEZA
STB18N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK12P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

diodes

DMN3112SSS-13

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

diodes

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323