Número de Producto del Fabricante:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK20C60W,S1VQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12889253
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TK20C60W,S1VQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
TK20C60
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STI33N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
9000
NÚMERO DE PIEZA
STI33N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
1.70
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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