Número de Producto del Fabricante:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK25N60X,S1F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
12889157
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ENVIAR
TK25N60X,S1F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TK25N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPW65R125C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
80
NÚMERO DE PIEZA
IPW65R125C7XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFH34N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
89
NÚMERO DE PIEZA
IXFH34N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
4.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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