Número de Producto del Fabricante:
TK290A60Y,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK290A60Y,S4X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12889146
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ENVIAR
TK290A60Y,S4X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 450µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
730 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK290A60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK290A60Y,S4X(S
TK290A60YS4X(S
TK290A60YS4X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
R6015ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
23
NÚMERO DE PIEZA
R6015ENX-DG
PRECIO UNITARIO
1.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SPA15N60C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
266
NÚMERO DE PIEZA
SPA15N60C3XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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