Número de Producto del Fabricante:
TK2P90E,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK2P90E,RQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
1982 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988128
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ENVIAR
TK2P90E,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK2P90E,RQTR
264-TK2P90E,RQDKR
264-TK2P90ERQDKR
264-TK2P90E,RQCT-DG
264-TK2P90ERQTR
264-TK2P90E,RQDKR-DG
264-TK2P90E,RQTR-DG
264-TK2P90E,RQCT
264-TK2P90ERQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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