Número de Producto del Fabricante:
TK30E06N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK30E06N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
24 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890280
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK30E06N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK30E06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP60NF06L
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
994
NÚMERO DE PIEZA
STP60NF06L-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
