Número de Producto del Fabricante:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK33S10N1L,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventario:
1997 Pcs Nuevos Originales En Stock
12943189
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ENVIAR
TK33S10N1L,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK33S10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK33S10N1L,LXHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3908
NÚMERO DE PIEZA
TK33S10N1L,LXHQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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