Número de Producto del Fabricante:
TK35E08N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK35E08N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
6 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890378
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ENVIAR
TK35E08N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK35E08
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK35E08N1S1X
TK35E08N1S1X-DG
TK35E08N1,S1X(S
264-TK35E08N1,S1X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN013-100PS,127
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
3262
NÚMERO DE PIEZA
PSMN013-100PS,127-DG
PRECIO UNITARIO
0.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPP12CN10LGXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
886
NÚMERO DE PIEZA
IPP12CN10LGXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRF8010PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1428
NÚMERO DE PIEZA
IRF8010PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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