Número de Producto del Fabricante:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK35N65W,S1F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
15 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890304
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ENVIAR
TK35N65W,S1F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 2.1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TK35N65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFX80N60P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
3
NÚMERO DE PIEZA
IXFX80N60P3-DG
PRECIO UNITARIO
11.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFX64N60P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
1060
NÚMERO DE PIEZA
IXFX64N60P3-DG
PRECIO UNITARIO
8.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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