TK3A90E,S4X
Número de Producto del Fabricante:

TK3A90E,S4X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK3A90E,S4X-DG

Descripción:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventario:

47 Pcs Nuevos Originales En Stock
12990365
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TK3A90E,S4X Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
TK3A90E

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
264-TK3A90ES4X

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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