TK3R1A04PL,S4X
Número de Producto del Fabricante:

TK3R1A04PL,S4X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK3R1A04PL,S4X-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventario:

61 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889778
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TK3R1A04PL,S4X Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
82A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4670 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK3R1A04

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK3R1A04PLS4X
TK3R1A04PL,S4X(S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM5H16TU,LF

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2231(TE16R1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2719(F)

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J355R,LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F