Número de Producto del Fabricante:
TK4P60D,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK4P60D,RQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
940 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987753
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ENVIAR
TK4P60D,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK4P60D,RQDKR
264-TK4P60D,RQTR
264-TK4P60D,RQTR-DG
264-TK4P60D,RQCT
264-TK4P60DRQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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