Número de Producto del Fabricante:
TK4R3E06PL,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK4R3E06PL,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
177 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890243
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ENVIAR
TK4R3E06PL,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK4R3E06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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