Número de Producto del Fabricante:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK58E06N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12891154
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK58E06N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK58E06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP047N08
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4680
NÚMERO DE PIEZA
FDP047N08-DG
PRECIO UNITARIO
1.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
