Número de Producto del Fabricante:
TK65G10N1,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK65G10N1,RQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12891404
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ENVIAR
TK65G10N1,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
TK65G10
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TK65G10N1,RQ(S
TK65G10N1RQCT
TK65G10N1RQTR
TK65G10N1RQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB047N10
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDB047N10-DG
PRECIO UNITARIO
1.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STH150N10F7-2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1000
NÚMERO DE PIEZA
STH150N10F7-2-DG
PRECIO UNITARIO
1.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TPH3R70APL,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
8626
NÚMERO DE PIEZA
TPH3R70APL,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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