TK65S04N1L,LXHQ
Número de Producto del Fabricante:

TK65S04N1L,LXHQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK65S04N1L,LXHQ-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+

Inventario:

2848 Pcs Nuevos Originales En Stock
12939666
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TK65S04N1L,LXHQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2550 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK65S04

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK65S04N1LLXHQDKR
TK65S04N1L,LXHQ(O
264-TK65S04N1LLXHQTR
264-TK65S04N1LLXHQCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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