Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
TK6A60W,S4VX
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK6A60W,S4VX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
45 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889556
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK6A60W,S4VX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 310µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK6A60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
TK6A60W
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK6A60WS4VX
TK6A60W,S4VX(M
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPAN65R650CEXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
462
NÚMERO DE PIEZA
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
R6008ANX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
R6008ANX-DG
PRECIO UNITARIO
1.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
R6007KNX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
R6007KNX-DG
PRECIO UNITARIO
1.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP4N70X2M
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
24
NÚMERO DE PIEZA
IXTP4N70X2M-DG
PRECIO UNITARIO
1.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STF9N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1988
NÚMERO DE PIEZA
STF9N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK13A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
TK25N60X5,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB