Número de Producto del Fabricante:
TK6Q65W,S1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK6Q65W,S1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventario:
75 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890349
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ENVIAR
TK6Q65W,S1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
TK6Q65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
TK6Q65W,S1Q(S
TK6Q65WS1Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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