Número de Producto del Fabricante:
TK72E08N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK72E08N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 72A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
29 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889500
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ENVIAR
TK72E08N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
72A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5500 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK72E08
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK72E08N1S1X
TK72E08N1,S1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP039N08B-F102
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
399
NÚMERO DE PIEZA
FDP039N08B-F102-DG
PRECIO UNITARIO
4.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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