Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
TK9P65W,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK9P65W,RQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12890618
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK9P65W,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
560mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 350µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK9P65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
TK9P65W
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TK9P65WRQCT
TK9P65WRQDKR
TK9P65W,RQ(S
TK9P65WRQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD60R600P7SAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9704
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCD600N60Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
16467
NÚMERO DE PIEZA
FCD600N60Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFY8N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
IXFY8N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTY8N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
20
NÚMERO DE PIEZA
IXTY8N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
TK45P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK