Número de Producto del Fabricante:
TP89R103NL,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TP89R103NL,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 15A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
2248 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891127
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ENVIAR
TP89R103NL,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
TP89R103
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TP89R103NLLQCT
TP89R103NLLQTR
TP89R103NLLQDKR-DG
TP89R103NL,LQ(S
264-TP89R103NL,LQCT
264-TP89R103NL,LQTR
264-TP89R103NL,LQDKR
TP89R103NLLQDKR
TP89R103NLLQTR-DG
TP89R103NLLQCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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