TPC8211(TE12L,Q,M)
Número de Producto del Fabricante:

TPC8211(TE12L,Q,M)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TPC8211(TE12L,Q,M)-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

Inventario:

12890916
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TPC8211(TE12L,Q,M) Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1250pF @ 10V
Potencia - Máx.
450mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP (5.5x6.0)
Número de producto base
TPC8211

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FDS6930B
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
970
NÚMERO DE PIEZA
FDS6930B-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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