Número de Producto del Fabricante:
TPCC8093,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCC8093,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
12890936
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ENVIAR
TPCC8093,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1860 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPCC8093
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPCC8093L1Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC046N02KSGAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
19920
NÚMERO DE PIEZA
BSC046N02KSGAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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