Número de Producto del Fabricante:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventario:
12942880
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ENVIAR
TPCC8105,L1Q(CM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
TPCC8105
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPCC8105L1Q(CMTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TPCC8105,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5000
NÚMERO DE PIEZA
TPCC8105,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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