Número de Producto del Fabricante:
TPH2R306NH1,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH2R306NH1,LQ-DG
Descripción:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventario:
11269 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964386
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ENVIAR
TPH2R306NH1,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
136A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6100 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPH2R306NH1LQDKR
TPH2R306NH1,LQ(M
264-TPH2R306NH1,LQTR
264-TPH2R306NH1LQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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