Número de Producto del Fabricante:
TPH3R10AQM,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH3R10AQM,LQ-DG
Descripción:
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventario:
7237 Pcs Nuevos Originales En Stock
12927268
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ENVIAR
TPH3R10AQM,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TPH3R10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPH3R10AQM,LQCT:264-TPH3R10AQMLQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQTR
264-TPH3R10AQM,LQDKR
264-TPH3R10AQM,LQTR-DG
264-TPH3R10AQM,LQDKR-DG
264-TPH3R10AQMLQDKR
264-TPH3R10AQMLQTR
TPH3R10AQM,LQ(M1
264-TPH3R10AQMLQCT
264-TPH3R10AQM,LQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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