Número de Producto del Fabricante:
TPH9R506PL,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH9R506PL,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 34A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
31819 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920873
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ENVIAR
TPH9R506PL,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1910 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
830mW (Ta), 81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH9R506
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-TPH9R506PLLQTR
264-TPH9R506PLLQCT
TPH9R506PL,LQ(S
264-TPH9R506PLLQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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