Número de Producto del Fabricante:
TPN1600ANH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN1600ANH,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
1395 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890201
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Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
mYh9
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ENVIAR
TPN1600ANH,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN1600
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPN1600ANHL1QCT
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QDKR
TPN1600ANHL1QTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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