Número de Producto del Fabricante:
TPN22006NH,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN22006NH,LQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventario:
2900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890482
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ENVIAR
TPN22006NH,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN22006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TPN22006NHLQDKR
TPN22006NHLQCT
TPN22006NHLQTR
TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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