TPN2R503NC,L1Q
Número de Producto del Fabricante:

TPN2R503NC,L1Q

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TPN2R503NC,L1Q-DG

Descripción:

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventario:

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TPN2R503NC,L1Q Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVIII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2230 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN2R503

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPN2R503NCL1QCT
TPN2R503NC,L1Q(M
TPN2R503NCL1QTR
TPN2R503NCL1Q
TPN2R503NCL1QDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TPN2R203NC,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5468
NÚMERO DE PIEZA
TPN2R203NC,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
AON6358
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
2359
NÚMERO DE PIEZA
AON6358-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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