Número de Producto del Fabricante:
TTC009,F(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TTC009,F(J-DG
Descripción:
TRANS NPN 80V 3A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890268
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ENVIAR
TTC009,F(J Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
3 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
80 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 5V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
150MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
TTC009
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
TTC009F(J
TTC009FJ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SC6076(TE16L1,NV)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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