TTC011B,Q
Número de Producto del Fabricante:

TTC011B,Q

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TTC011B,Q-DG

Descripción:

PB-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10W
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N

Inventario:

180 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988794
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TTC011B,Q Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
230 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
200nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
1.5 W
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
TTC011B

Información Adicional

Paquete Estándar
250
Otros nombres
264-TTC011B,Q
264-TTC011BQ
264-TTC011B,Q-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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