Número de Producto del Fabricante:
XK1R9F10QB,LXGQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XK1R9F10QB,LXGQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Inventario:
4854 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938254
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ENVIAR
XK1R9F10QB,LXGQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
160A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.92mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
184 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11500 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SM(W)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
XK1R9F10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
264-XK1R9F10QBLXGQTR
264-XK1R9F10QBLXGQCT
264-XK1R9F10QBLXGQDKR
XK1R9F10QB,LXGQ(O
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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