Número de Producto del Fabricante:
TPH3202PD
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TPH3202PD-DG
Descripción:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
13446567
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ENVIAR
TPH3202PD Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP15N60M2-EP
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
334
NÚMERO DE PIEZA
STP15N60M2-EP-DG
PRECIO UNITARIO
0.76
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TK10E60W,S1VX
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
30
NÚMERO DE PIEZA
TK10E60W,S1VX-DG
PRECIO UNITARIO
1.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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