Número de Producto del Fabricante:
TPH3206LSGB
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TPH3206LSGB-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
13275977
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH3206LSGB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 480 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja
3-PowerDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
1707-TPH3206LSGB
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TP65H150G4LSG
FABRICANTE
Transphorm
CANTIDAD DISPONIBLE
2939
NÚMERO DE PIEZA
TP65H150G4LSG-DG
PRECIO UNITARIO
2.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
IPB60R070CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
BSZ039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON