Número de Producto del Fabricante:
UF3SC120009K4S
Product Overview
Fabricante:
Qorvo
Número de pieza:
UF3SC120009K4S-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
1146 Pcs Nuevos Originales En Stock
12930659
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ENVIAR
UF3SC120009K4S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
234 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8512 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
789W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
UF3SC120009
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
2312-UF3SC120009K4S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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