1N60L
Número de Producto del Fabricante:

1N60L

Product Overview

Fabricante:

UMW

Número de pieza:

1N60L-DG

Descripción:

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

2469 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991429
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

1N60L Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
UMW
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UMW
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4518-1N60LCT
4518-1N60LTR
4518-1N60LDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
utd-semiconductor

SI2328A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

AO3403A

SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

rohm-semi

R6077VNZC17

600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH