Número de Producto del Fabricante:
2N7002E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
2N7002E-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
Inventario:
16106 Pcs Nuevos Originales En Stock
12872999
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ENVIAR
2N7002E-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
240mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
2N7002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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